688766
股票代码
近日，上海市经济和信息化委员会正式发布《2024年度上海市创新产品推荐目录》，普冉半导体（上海）股份有限公司（股票代码：688766）两款核心芯片产品——低功耗高性能NOR Flash存储器和高可靠性EEPROM存储器，凭借其出色的技术创新与市场价值，成功入选该权威目录。这标志着普冉股份在半导体存储芯片领域的技术实力和产品竞争力，获得了上海市政府的高度认可！
《上海市创新产品推荐目录》是上海市政府为推动科技创新、促进产业升级而设立的权威目录，重点遴选具有核心自主知识产权、技术领先且市场前景广阔的创新产品，是上海市推动产业创新升级、鼓励高新技术产品研发与应用的重要举措，评选标准极其严格，要求产品必须拥有自主知识产权、技术先进、质量可靠且市场前景广阔。入选该目录，意味着产品不仅代表了上海制造的高度，更获得了政府背书，为后续在政府采购、重大工程及产业链推广中赢得重要通行证！
本次普冉入选的两款芯片，正是公司深耕存储领域的核心代表作：
高可靠性EEPROM存储器芯片P24C512H：
该系列产品具备存储容量大、擦写寿命长、工作电压范围宽等性能特点。容量方面，I²C接口的512Kbit产品可满足一些对数据存储量有一定要求的应用场景，如电表数据存储等；满足1000万次的擦写寿命，200年数据保存年限，可灵活的更新修改数据，适用于需要频繁读写数据的客户领域；1.7V~5.5V的宽电压覆盖，可使其适用于多种电源环境，增强了芯片的适用性。该系列产品工作温度范围为-40℃~125℃，能够在较宽的温度区间内稳定工作，可对应汽车电子等对温度的适应性要求较高的领域。此外，产品擦写功能带纠错码(ECC)，有助于提高数据读写的准确性，减少数据错误率，提升数据存储的可靠性。多种封装形式，可满足不同应用场景和电路板设计的需求。
低功耗高性能NOR Flash 存储器芯片P25Q32SN：
该系列产品是业界首家1.1V新一代领先工艺、超低电压超低功耗、面向AIOT的高性能Flash存储器芯片。具备1.05V~2V宽电压，实现了行业目前最低功耗6.5UJ/Mbit，较上一代自研16UJ/Mbit，相同电流下的功耗降低了38%，相同频率下的四线读取功耗降低了60%，有效延长了设备的续航时间。此外，最高时钟频率STR四线达104MHz，DTR四线达80MHz，拥有10万次擦写寿命，数据有效保存期限可达到20年；支持多种封装形式以及KGD for SiP，可充分满足下游客户多样化需求，实现产品性能和成本的更高度适配化。该产品配合主控SoC芯片更好的匹配新一代标准电压，在简化系统电源设计的同时，达到更低的功率消耗，为音频、图像等多模块SoC智能主控芯片提供必要的存储支持。
这两款产品完美诠释了普冉股份“持续创新、卓越品质”的理念，其出色的性能与可靠性，为终端产品的稳定运行和优异表现提供了坚实的“记忆”基石。
入选《上海市创新产品推荐目录》，为普冉股份带来了显著的品牌提升与市场机遇：
强大的政府背书： 极大提升了普冉品牌及产品的公信力与市场认可度。
拓展市场的金钥匙： 在消费电子等相关领域的大型项目采购、重点工程招标中更具竞争优势。
创新标杆效应： 巩固普冉在半导体存储芯片领域的创新引领者形象，吸引更多合作伙伴。
政策红利支持： 有机会获得后续相关政策在推广、应用等方面的支持。
作为扎根上海、辐射全球的半导体设计企业，普冉股份将继续依托上海的产业与人才优势，持续加大研发投入，聚焦存储及周边芯片领域，不断推出更具竞争力、更高性能、更符合市场需求的创新产品，为构建安全、可靠、先进的国产芯片供应链贡献力量，助力中国集成电路产业高地建设！
