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关于普冉

公司简介

业内领先的低功耗非易失性存储器芯片

及基于存储芯片的衍生芯片供应商

公司成立于2016年，总部位于上海张江高科，在深圳、韩国设有销售和现场应用服务与支持中心，同时在苏州设有研发中心；在日本、英国、德国等多地拥有代表处。2021年8月，公司在上海证券交易所科创板上市，股票代码688766。

公司目前主要产品包括NOR Flash和EEPROM两大非易失性存储器芯片、微控制器芯片及模拟产品。产品广泛应用于物联网、智能手机及周边、可穿戴、服务器、光模块、工业控制、汽车电子、安防等领域。

公司聚焦领先的非易失性存储器芯片，凭借超低功耗和高可靠性的产品优势，积累了良好的品牌认可度，成为全球NOR Flash和EEPROM的主要供应商之一。公司产品广泛应用于三星、OPPO、vivo、小米、联想、惠普、亚马逊、美的、海内外汽车客户等品牌厂商。

基于存储器技术优势，公司于2021年推出“存储+ ”战略，积极拓展MCU及模拟芯片领域，依托公司在存储领域的技术优势和平台资源，实现向更高附加值领域和更多元化的市场拓展。

与此同时，公司大力推进海外业务布局，坚定国际化战略路线，已经实现在日、韩、美等多家知名大客户导入，产品应用领域覆盖消费、工控、光伏及车载等，增强了在全球市场的影响力。

公司以“普冉之芯，造福世界”的愿景，专注于产品创新，围绕非易失存储器领域，在继续完善和提升非易失性存储器产品线的同时，有效推进“存储+”战略，实现微控制器和模拟产品线的高速发展，不断满足客户对高性能芯片产品的需求，在持续经营中实现企业的技术积累，保障公司经营业务的可持续发展。

发展历程

2012

普冉半导体前身无锡普雅成立

2013

无锡普雅第一颗产品，BLDC Fan Driver研发成功并进入量产

2014

IIC EEPROM系列产品研发成功并实现量产

2016

1月上海公司成立普冉半导体成立，聚焦IOT存储
5月 2Kbit-512Kbit全系列EEPROM实现量产和销售
9月普冉完成55nm 512Kbit-4Mbit NOR Flash研发和流片

2017

创新技术SONOS 4M超低功耗宽电压Flash量产

2018

松山湖IC创新论坛发布业界最低功耗32M IOT Flash

2019

行业领先的40nm 128Mbit Flash量产并销售
Flash产品进入三星、惠普等知名品牌供应链

2021

8月科创板上市；SONOS Flash累计出货10万片

2022

更完整的产品系列：ETOX Flash +
“Memory+“ 战略

2023

2023年及之后进入更多海内外知名品牌；获取更大市场份额及影响力

企业文化

持续创新

Persistent in
Innovation

卓越品质

Uncompromised
Quality

恒久伙伴

Your long-term
partner

信守承诺

Authentic
Commitment

荣誉

2024年中国IC设计成就奖-年度创新IC设计公司

2016年第五届中国创新大赛电子信息行业总决赛企业组十二强

荣获第五届中国创新创业大赛（上海赛区）企业组优胜奖

荣获莘泽孵化器2017年创新企业

2019年上海市专利工作试点企业

上海市企业技术中心

上海市科技小巨人企业

高新技术成果转化项目自主创新十强

荣获2021年高新技术企业

2022张江之星成长型企业

2022高新技术成果转化项目-百佳

2023第十届IOT大会年度产品奖

高新技术成果转化项目-百佳

2023年硬核芯最具创新精神IC设计企业

普冉愿景

普冉之芯造福世界

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